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日立開發(fā)出再現(xiàn)無鉛鍍錫晶須現(xiàn)象的模擬技術

2011年03月14日 9:12 3897次瀏覽 來源:   分類:

此次技術的應用結果。左為原來的可靠性試驗結果。右為采用此次技術的模擬結果。兩者的晶須發(fā)生位置一致。數據由日立提供。

           此次技術的應用結果。左為原來的可靠性試驗結果。右為采用此次技術的

                    模擬結果。兩者的晶須發(fā)生位置一致。數據由日立提供。

 

  日立制作所宣布,開發(fā)出了再現(xiàn)晶須發(fā)生現(xiàn)象的模擬技術。據日立介紹,通過采用該技術求得無鉛鍍錫的詳細應力分布,能再現(xiàn)隨應力移動的錫原子聚集所產生的晶須現(xiàn)象。
  以前,確認晶須耐性,需要長期的可靠性試驗。而此次,日立與瑞薩電子合作開發(fā)出了再現(xiàn)無鉛鍍錫中晶須現(xiàn)象的模擬技術。通過采用該技術,能夠在短期內預測晶須耐性。今后,將針對產品應用進行研究。另外,日立在日本電子封裝學會主辦的“第25屆春季演講大會”(正在橫浜國立大學舉行)上針對該技術發(fā)表了演講。
  此次開發(fā)的技術按照以下步驟預測晶須的發(fā)生。首先,在無鉛鍍錫的任意范圍內,采用電子背散射衍射法(EBSP法)預測各晶粒的形狀和結晶方位。其次,制作出反映所測到各晶粒形狀和結晶方位的有限元分析模型。這時,考慮錫結晶的彈性指數和線性膨脹系數的各向異性。
  給這個分析模型設定溫度變化等負荷條件,求得鍍錫過程中的詳細應力分布。然后,采用根據分子動力學法計算出的錫原子擴散系數(隨應力移動的容易程度),計算出應力分布中的錫原子移動,并根據錫原子集中度預測出晶須的發(fā)生位置。
  據日立介紹,上述測定和模擬需要幾天時間。而原來的可靠性試驗通常需要1個多月,由此可見此次的方法能夠大幅縮短周期和降低成本。
  日立在試電鍍的溫度周期試驗中嘗試將此次開發(fā)的模擬技術應用于初期晶須發(fā)生區(qū)域的評估。結果證實,根據模擬求出的應力分布和錫原子集中度,可再現(xiàn)晶須發(fā)生現(xiàn)象。

責任編輯:TT

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